maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / AO6601L
Référence fabricant | AO6601L |
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Numéro de pièce future | FT-AO6601L |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AO6601L Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N and P-Channel |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 3.4A (Ta), 2.3A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 3A, 10V, 135 mOhm @ 2.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 4.34nC @ 4.5V, 4.8nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 390pF @ 15V, 409pF @ 15V |
Puissance - Max | 1.15W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-74, SOT-457 |
Package d'appareils du fournisseur | 6-TSOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AO6601L Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AO6601L-FT |
AOD661
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
AOE6922
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
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