maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / AON5816
Référence fabricant | AON5816 |
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Numéro de pièce future | FT-AON5816 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AON5816 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 12A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 12A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.3V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2170pF @ 10V |
Puissance - Max | 1.7W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | 6-DFN-EP (2x5) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AON5816 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AON5816-FT |
APTM100H45FT3G
Microsemi Corporation
APTM100H46FT3G
Microsemi Corporation
APTM10AM05FTG
Microsemi Corporation
APTM10DHM05G
Microsemi Corporation
APTM10DSKM09T3G
Microsemi Corporation
APTM10DSKM19T3G
Microsemi Corporation
APTM10DUM02G
Microsemi Corporation
APTM10HM09FT3G
Microsemi Corporation
APTM120A15FG
Microsemi Corporation
APTM120A20DG
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32-TQG144I
Microsemi Corporation
XC6SLX100-3FGG676I
Xilinx Inc.
XC6SLX100T-2FGG676C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-3FGG484C
Xilinx Inc.
AFS600-1FGG484K
Microsemi Corporation
A3P125-VQG100T
Microsemi Corporation
A42MX16-3VQG100I
Microsemi Corporation
EP3C5U256I7
Intel
LFE2-20SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation