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Microsemi Corporation APTM120U10SCAVG

Name: APTM120U10SCAVG
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APTM120U10SCAVG
Availability: InStock
Rating: 4.7 (560 reviews)

Numéro de pièce MFG: APTM120U10SCAVG

quantité disponible: 70770 Pièces

Prix de référence: USD 0

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Microsemi Corporation

Brève description: POWER MOS 7® MOSFET N-CH 1200V 116A SP6

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: APTM120U10SCAVG.pdf

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APTM120U10SCAVG Caractéristiques

Référence fabricant	APTM120U10SCAVG
Numéro de pièce future	FT-APTM120U10SCAVG
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	POWER MOS 7®
APTM120U10SCAVG Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	1200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	116A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	120 mOhm @ 58A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 20mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	1100nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	28900pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	3290W (Tc)
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount
Package d'appareils du fournisseur	SP6
Paquet / caisse	SP6
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTM120U10SCAVG Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	APTM120U10SCAVG-FT

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