maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / APT21M100J
Référence fabricant | APT21M100J |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-APT21M100J |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | POWER MOS 8™ |
APT21M100J Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 1000V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 21A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380 mOhm @ 16A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 260nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 8500pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 462W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Package d'appareils du fournisseur | ISOTOP® |
Paquet / caisse | SOT-227-4, miniBLOC |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT21M100J Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | APT21M100J-FT |
APT5016BFLLG
Microsemi Corporation
APT5018BLLG
Microsemi Corporation
APT5518BFLLG
Microsemi Corporation
APT9M100B
Microsemi Corporation
APT29F100B2
Microsemi Corporation
APT56F50B2
Microsemi Corporation
APT34N80B2C3G
Microsemi Corporation
APT38F80B2
Microsemi Corporation
APT8020B2LLG
Microsemi Corporation
APT37M100B2
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-6TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K50TC144-3N
Intel
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
EP4SGX360KF43C2
Intel
XC7K70T-1FB484C
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-7LFN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-1300E-5MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19A7N
Intel
EP1S40F780C5
Intel
EPF6024AQC240-3
Intel