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Microsemi Corporation APT34N80B2C3G

Name: APT34N80B2C3G
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APT34N80B2C3G
Price: 9.136 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (524 reviews)

Numéro de pièce MFG: APT34N80B2C3G

quantité disponible: 87750 Pièces

Prix de référence: USD 9.136

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Microsemi Corporation

Brève description: - MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: APT34N80B2C3G.pdf

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APT34N80B2C3G Caractéristiques

Référence fabricant	APT34N80B2C3G
Numéro de pièce future	FT-APT34N80B2C3G
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
APT34N80B2C3G Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	800V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	34A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	145 mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.9V @ 2mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	355nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	4510pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	417W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	T-MAX™ [B2]
Paquet / caisse	TO-247-3 Variant
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APT34N80B2C3G Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	APT34N80B2C3G-FT

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