maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / APTM120U10SAG
Référence fabricant | APTM120U10SAG |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-APTM120U10SAG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
APTM120U10SAG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 1200V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 116A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 58A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 20mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 1100nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 28900pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 3290W (Tc) |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SP6 |
Paquet / caisse | SP6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTM120U10SAG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | APTM120U10SAG-FT |
APT30M60J
Microsemi Corporation
APT39M60J
Microsemi Corporation
APT80M60J
Microsemi Corporation
APT80F60J
Microsemi Corporation
APT10045JLL
Microsemi Corporation
APT21M100J
Microsemi Corporation
APT10021JFLL
Microsemi Corporation
APT30F60J
Microsemi Corporation
APT47M60J
Microsemi Corporation
APT60M75JFLL
Microsemi Corporation
LFXP3C-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C6N
Intel
10AX016C4U19I3SG
Intel
5SGSED6K2F40C2N
Intel
5CGXFC7B6M15I7N
Intel
EP4SGX530KH40C3NES
Intel
5SGXEA5K1F35I2N
Intel
XC6VLX365T-1FF1156I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation