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APTGV50H120T3G Image

Microsemi Corporation APTGV50H120T3G

Numéro de pièce MFG
APTGV50H120T3G
quantité disponible
60660 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
- IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - IGBT - Modules
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
APTGV50H120T3G.pdf
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APTGV50H120T3G Caractéristiques

Référence fabricant APTGV50H120T3G
Numéro de pièce future FT-APTGV50H120T3G
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
APTGV50H120T3G Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type IGBT NPT, Trench Field Stop
Configuration Full Bridge Inverter
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 75A
Puissance - Max 270W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A
Courant - Coupure Collecteur (Max) 250µA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 3.6nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC Yes
Température de fonctionnement -
Type de montage Chassis Mount
Paquet / caisse SP3
Package d'appareils du fournisseur SP3
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTGV50H120T3G Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange APTGV50H120T3G-FT

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