maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / APTGT100A60TG
Référence fabricant | APTGT100A60TG |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-APTGT100A60TG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
APTGT100A60TG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type IGBT | Trench Field Stop |
Configuration | Half Bridge |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 600V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 150A |
Puissance - Max | 340W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 100A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 250µA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 6.1nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | Yes |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | SP4 |
Package d'appareils du fournisseur | SP4 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTGT100A60TG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | APTGT100A60TG-FT |
6MS30017E43W34404NOSA1
Infineon Technologies
6MS30017E43W38169NOSA1
Infineon Technologies
6MS30017E43W40372NOSA1
Infineon Technologies
6PS03012E33G34160NOSA1
Infineon Technologies
6PS04512E43W39693NOSA1
Infineon Technologies
6PS18012E4FG35689NWSA1
Infineon Technologies
6PS18012E4FG42192NWSA1
Infineon Technologies
A1P50S65M2
STMicroelectronics
A2C50S65M2
STMicroelectronics
APTCV60HM70BT3G
Microsemi Corporation
A3P030-QNG68
Microsemi Corporation
A54SX16P-TQ144
Microsemi Corporation
XC3S500E-4FG320I
Xilinx Inc.
XC2V80-4FGG256C
Xilinx Inc.
XC3090-100PQ208C
Xilinx Inc.
A3P1000-2FG484
Microsemi Corporation
M1A3P600-1FG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-PQG208
Microsemi Corporation
5SEE9F45I3N
Intel
LAE3-35EA-6LFN672E
Lattice Semiconductor Corporation