maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / A2C50S65M2
Référence fabricant | A2C50S65M2 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-A2C50S65M2 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
A2C50S65M2 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | Trench Field Stop |
Configuration | Three Phase Inverter with Brake |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 650V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 50A |
Puissance - Max | 208W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 50A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 100µA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 4150pF @ 25V |
Contribution | Three Phase Bridge Rectifier |
Thermistance NTC | Yes |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | ACEPACK™ 2 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
A2C50S65M2 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | A2C50S65M2-FT |
IXGN400N60B3
IXYS
IXXN200N60B3
IXYS
IXYN100N65A3
IXYS
IXYN120N120C3
IXYS
NXH80B120H2Q0SG
ON Semiconductor
IFF600B12ME4PB11BPSA1
Infineon Technologies
FF600R12ME4BOSA1
Infineon Technologies
DF300R07PE4B6BOSA1
Infineon Technologies
F3L200R07PE4BOSA1
Infineon Technologies
FD300R07PE4B6BOSA1
Infineon Technologies
AGL030V5-QNG68I
Microsemi Corporation
XC7A75T-1FTG256I
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FG256I
Microsemi Corporation
AGL600V2-FG256I
Microsemi Corporation
5CGXFC7D6F27I7N
Intel
EP1K100FC256-3N
Intel
5SGXEA7H1F35C1N
Intel
LFE2M35E-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-50SE-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD3H2F35I2N
Intel