maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Simples / APT68GA60B2D40
Référence fabricant | APT68GA60B2D40 |
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Numéro de pièce future | FT-APT68GA60B2D40 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | POWER MOS 8™ |
APT68GA60B2D40 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | PT |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 600V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 121A |
Courant - collecteur pulsé (Icm) | 202A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 40A |
Puissance - Max | 520W |
Énergie de commutation | 715µJ (on), 607µJ (off) |
Type d'entrée | Standard |
Charge de la porte | 198nC |
Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 21ns/133ns |
Condition de test | 400V, 40A, 4.7 Ohm, 15V |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-247-3 Variant |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT68GA60B2D40 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | APT68GA60B2D40-FT |
APT68GA60LD40
Microsemi Corporation
APT75GN60LDQ3G
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APT35GN120L2DQ2G
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