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Microsemi Corporation APT68GA60B2D40

Name: APT68GA60B2D40
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APT68GA60B2D40
Price: 8.480136 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (118 reviews)

Numéro de pièce MFG: APT68GA60B2D40

quantité disponible: 11690 Pièces

Prix de référence: USD 8.480136

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Microsemi Corporation

Brève description: POWER MOS 8™ IGBT 600V 121A 520W TO-247

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - IGBT - Simples

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: APT68GA60B2D40.pdf

APT68GA60B2D40 Caractéristiques

Référence fabricant	APT68GA60B2D40
Numéro de pièce future	FT-APT68GA60B2D40
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	POWER MOS 8™
APT68GA60B2D40 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type IGBT	PT
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.)	600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	121A
Courant - collecteur pulsé (Icm)	202A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.5V @ 15V, 40A
Puissance - Max	520W
Énergie de commutation	715µJ (on), 607µJ (off)
Type d'entrée	Standard
Charge de la porte	198nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C	21ns/133ns
Condition de test	400V, 40A, 4.7 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr)	-
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Paquet / caisse	TO-247-3 Variant
Package d'appareils du fournisseur	-
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APT68GA60B2D40 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	APT68GA60B2D40-FT

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