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APT68GA60B2D40 Image

Microsemi Corporation APT68GA60B2D40

Numéro de pièce MFG
APT68GA60B2D40
quantité disponible
11690 Pièces
Prix de référence
USD 8.480136
Notre prix
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Date d'expédition
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fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
POWER MOS 8™ IGBT 600V 121A 520W TO-247
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - IGBT - Simples
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
APT68GA60B2D40.pdf
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APT68GA60B2D40 Caractéristiques

Référence fabricant APT68GA60B2D40
Numéro de pièce future FT-APT68GA60B2D40
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries POWER MOS 8™
APT68GA60B2D40 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type IGBT PT
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) 600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 121A
Courant - collecteur pulsé (Icm) 202A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 40A
Puissance - Max 520W
Énergie de commutation 715µJ (on), 607µJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de la porte 198nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 21ns/133ns
Condition de test 400V, 40A, 4.7 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / caisse TO-247-3 Variant
Package d'appareils du fournisseur -
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APT68GA60B2D40 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange APT68GA60B2D40-FT

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