maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / APT58M50JU3
Référence fabricant | APT58M50JU3 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-APT58M50JU3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | POWER MOS 8™ |
APT58M50JU3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 500V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 58A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 42A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 340nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 10800pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 543W (Tc) |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-227 |
Paquet / caisse | SOT-227-4, miniBLOC |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT58M50JU3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | APT58M50JU3-FT |
APT5014BLLG
Microsemi Corporation
APT14F100B
Microsemi Corporation
APT24F50B
Microsemi Corporation
APT9F100B
Microsemi Corporation
APT30F50B
Microsemi Corporation
APT14M100B
Microsemi Corporation
APT14M120B
Microsemi Corporation
APT5024BLLG
Microsemi Corporation
APT34M60B
Microsemi Corporation
APT77N60BC6
Microsemi Corporation
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C10F256I7
Intel
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP2AGX65CU17C4
Intel