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Microsemi Corporation APT50GN120L2DQ2G

Numéro de pièce MFG
APT50GN120L2DQ2G
quantité disponible
90620 Pièces
Prix de référence
USD 15.232
Notre prix
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Date d'expédition
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fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
- IGBT 1200V 134A 543W TO264
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - IGBT - Simples
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
APT50GN120L2DQ2G.pdf
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APT50GN120L2DQ2G Caractéristiques

Référence fabricant APT50GN120L2DQ2G
Numéro de pièce future FT-APT50GN120L2DQ2G
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
APT50GN120L2DQ2G Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type IGBT NPT, Trench Field Stop
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 134A
Courant - collecteur pulsé (Icm) 150A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A
Puissance - Max 543W
Énergie de commutation 4495µJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de la porte 315nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 28ns/320ns
Condition de test 800V, 50A, 2.2 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / caisse TO-264-3, TO-264AA
Package d'appareils du fournisseur -
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APT50GN120L2DQ2G Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange APT50GN120L2DQ2G-FT

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