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Microsemi Corporation APT33GF120B2RDQ2G

Name: APT33GF120B2RDQ2G
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APT33GF120B2RDQ2G
Price: 15.44 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (507 reviews)

Numéro de pièce MFG: APT33GF120B2RDQ2G

quantité disponible: 19760 Pièces

Prix de référence: USD 15.44

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Microsemi Corporation

Brève description: - IGBT 1200V 64A 357W TMAX

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - IGBT - Simples

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: APT33GF120B2RDQ2G.pdf

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APT33GF120B2RDQ2G Caractéristiques

Référence fabricant	APT33GF120B2RDQ2G
Numéro de pièce future	FT-APT33GF120B2RDQ2G
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
APT33GF120B2RDQ2G Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type IGBT	NPT
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.)	1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	64A
Courant - collecteur pulsé (Icm)	75A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	3V @ 15V, 25A
Puissance - Max	357W
Énergie de commutation	1.315mJ (on), 1.515mJ (off)
Type d'entrée	Standard
Charge de la porte	170nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C	14ns/185ns
Condition de test	800V, 25A, 4.3 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr)	-
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Paquet / caisse	TO-247-3 Variant
Package d'appareils du fournisseur	-
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APT33GF120B2RDQ2G Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	APT33GF120B2RDQ2G-FT

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