maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / APT20M11JVFR
Référence fabricant | APT20M11JVFR |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-APT20M11JVFR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | POWER MOS V® |
APT20M11JVFR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 200V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 175A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 5mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 180nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 21600pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 700W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Package d'appareils du fournisseur | ISOTOP® |
Paquet / caisse | SOT-227-4, miniBLOC |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT20M11JVFR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | APT20M11JVFR-FT |
APT5024BLLG
Microsemi Corporation
APT34M60B
Microsemi Corporation
APT77N60BC6
Microsemi Corporation
APT18F60B
Microsemi Corporation
APT17F80B
Microsemi Corporation
APT36N90BC3G
Microsemi Corporation
APT37F50B
Microsemi Corporation
APT1003RBLLG
Microsemi Corporation
APT12M80B
Microsemi Corporation
APT15F60B
Microsemi Corporation
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
Intel
5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel