maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / APT17F80B
Référence fabricant | APT17F80B |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-APT17F80B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | POWER MOS 8™ |
APT17F80B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 800V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 18A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 580 mOhm @ 9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 122nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3757pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 500W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247 [B] |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT17F80B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | APT17F80B-FT |
PMPB20XNEAX
Nexperia USA Inc.
PMPB20XPE,115
Nexperia USA Inc.
PMPB215ENEAX
Nexperia USA Inc.
PMPB23XNE,115
Nexperia USA Inc.
PMPB25ENEAX
Nexperia USA Inc.
PMPB27EP,115
Nexperia USA Inc.
PMPB29XNE,115
Nexperia USA Inc.
PMPB29XPE,115
Nexperia USA Inc.
PMPB33XN,115
Nexperia USA Inc.
PMPB40SNA,115
Nexperia USA Inc.
XC6SLX150-3FG676I
Xilinx Inc.
XC3S1400A-5FG484C
Xilinx Inc.
AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LAXP2-8E-5FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-3PL68I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I2
Intel
5SGXEBBR2H43I3L
Intel
LFEC10E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10QC208-3N
Intel