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Référence fabricant | APT10SCD120K |
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Numéro de pièce future | FT-APT10SCD120K |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
APT10SCD120K Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Silicon Carbide Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.5V @ 10A |
La vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 0ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | - |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-2 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220 |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT10SCD120K Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | APT10SCD120K-FT |
JAN1N5614US
Microsemi Corporation
JAN1N5614
Microsemi Corporation
JAN1N5554US
Microsemi Corporation
JAN1N5551
Microsemi Corporation
1N5550
Microsemi Corporation
JAN1N5550
Microsemi Corporation
JAN1N5420
Microsemi Corporation
1N5420
Microsemi Corporation
JAN1N5419
Microsemi Corporation
JAN1N5417
Microsemi Corporation
XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
LFE2-6E-6TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-2FGG256
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208I
Microsemi Corporation
10M40DCF484C8G
Intel
EP4CGX110CF23I7
Intel
10M40DAF256C7G
Intel
10AX022E4F27E3LG
Intel
XC5VLX85-2FFG676I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-7FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation