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Référence fabricant | APT10SCD120K |
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Numéro de pièce future | FT-APT10SCD120K |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
APT10SCD120K Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Silicon Carbide Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.5V @ 10A |
La vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 0ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | - |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-2 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220 |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT10SCD120K Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | APT10SCD120K-FT |
JAN1N5614US
Microsemi Corporation
JAN1N5614
Microsemi Corporation
JAN1N5554US
Microsemi Corporation
JAN1N5551
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1N5550
Microsemi Corporation
JAN1N5550
Microsemi Corporation
JAN1N5420
Microsemi Corporation
1N5420
Microsemi Corporation
JAN1N5419
Microsemi Corporation
JAN1N5417
Microsemi Corporation
EPF10K50STC144-1
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XC7A75T-1FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX16A-1PQ208M
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MPF100TS-1FCVG484I
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A3PN060-Z2VQG100
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AT40K10-2EQI
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XC7K355T-2FFG901I
Xilinx Inc.
LFE2M70E-6F900C
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LFE2-12E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C12F324I7
Intel