maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / JAN1N5550
Référence fabricant | JAN1N5550 |
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Numéro de pièce future | FT-JAN1N5550 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/420 |
JAN1N5550 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 9A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 2µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | B, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N5550 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JAN1N5550-FT |
CDLL0.5A30
Microsemi Corporation
CDLL0.5A40
Microsemi Corporation
CDLL2810
Microsemi Corporation
CDLL483B
Microsemi Corporation
CDLL485B
Microsemi Corporation
CDLL486B
Microsemi Corporation
CDLL5194
Microsemi Corporation
CDLL5196
Microsemi Corporation
CDLL645
Microsemi Corporation
CDLL914
Microsemi Corporation
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel