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Microsemi Corporation APT10M11B2VFRG

Name: APT10M11B2VFRG
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APT10M11B2VFRG
Availability: InStock
Rating: 4.8 (213 reviews)

Numéro de pièce MFG: APT10M11B2VFRG

quantité disponible: 21680 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Microsemi Corporation

Brève description: POWER MOS V® MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: APT10M11B2VFRG.pdf

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APT10M11B2VFRG Caractéristiques

Référence fabricant	APT10M11B2VFRG
Numéro de pièce future	FT-APT10M11B2VFRG
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	POWER MOS V®
APT10M11B2VFRG Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	100A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 2.5mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	450nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	10300pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	520W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	T-MAX™
Paquet / caisse	TO-247-3 Variant
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APT10M11B2VFRG Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	APT10M11B2VFRG-FT

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