maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / APT8024LLLG
Référence fabricant | APT8024LLLG |
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Numéro de pièce future | FT-APT8024LLLG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | POWER MOS 7® |
APT8024LLLG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 800V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 31A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 240 mOhm @ 15.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 160nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4670pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 565W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-264 [L] |
Paquet / caisse | TO-264-3, TO-264AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT8024LLLG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | APT8024LLLG-FT |
PMV55ENEAR
Nexperia USA Inc.
PMV65ENEAR
Nexperia USA Inc.
PMV65UNEAR
Nexperia USA Inc.
PMV65XP/MIR
Nexperia USA Inc.
PMV65XPER
Nexperia USA Inc.
PMV90ENER
Nexperia USA Inc.
SI2304DS,215
Nexperia USA Inc.
PSMN1R2-25YL,115
Nexperia USA Inc.
BUK7J1R4-40HX
Nexperia USA Inc.
PMPB11EN,115
Nexperia USA Inc.
XC2VP4-6FGG256C
Xilinx Inc.
XC4052XL-3HQ304C
Xilinx Inc.
XC2V250-6FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A42MX36-PQ208I
Microsemi Corporation
M2GL090TS-1FGG676I
Microsemi Corporation
LFEC10E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100QC208-3N
Intel
EP4SGX180FF35C2XN
Intel
EP1SGX25DF1020C6
Intel