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Microsemi Corporation APT1002RBNG

Name: APT1002RBNG
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APT1002RBNG
Availability: InStock
Rating: 4.9 (457 reviews)

Numéro de pièce MFG: APT1002RBNG

quantité disponible: 97790 Pièces

Prix de référence: USD 0

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Microsemi Corporation

Brève description: POWER MOS IV® MOSFET N-CH 1000V 8A TO247AD

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: APT1002RBNG.pdf

APT1002RBNG Caractéristiques

Référence fabricant	APT1002RBNG
Numéro de pièce future	FT-APT1002RBNG
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	POWER MOS IV®
APT1002RBNG Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	1000V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	8A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.6 Ohm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	105nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1800pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	240W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-247AD
Paquet / caisse	TO-247-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APT1002RBNG Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	APT1002RBNG-FT

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