maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / AOWF15S60
Référence fabricant | AOWF15S60 |
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Numéro de pièce future | FT-AOWF15S60 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | aMOS™ |
AOWF15S60 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 15A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290 mOhm @ 7.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 15.6nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 717pF @ 100V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 27.8W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Paquet / caisse | TO-262-3 Full Pack, I²Pak |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AOWF15S60 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AOWF15S60-FT |
DMP3050LVT-7
Diodes Incorporated
DMN10H220LVT-7
Diodes Incorporated
DMP3105LVT-7
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DMN10H170SVT-13
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DMN10H170SVTQ-13
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DMN10H220LVT-13
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DMN3026LVTQ-13
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DMN6040SVTQ-13
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DMP2033UVT-13
Diodes Incorporated
LFXP3C-4T144I
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A54SX16-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C6N
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10AX016C4U19I3SG
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5SGSED6K2F40C2N
Intel
5CGXFC7B6M15I7N
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EP4SGX530KH40C3NES
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5SGXEA5K1F35I2N
Intel
XC6VLX365T-1FF1156I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation