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AOWF12T60P Image

Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOWF12T60P

Numéro de pièce MFG
AOWF12T60P
quantité disponible
22120 Pièces
Prix de référence
USD 0.824
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Date d'expédition
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fabricant
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Brève description
- MOSFET N-CH 600V 12A TO262F
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
AOWF12T60P.pdf
AOWF12T60P Image

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AOWF12T60P Caractéristiques

Référence fabricant AOWF12T60P
Numéro de pièce future FT-AOWF12T60P
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
AOWF12T60P Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 12A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 520 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2028pF @ 100V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 28W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-262F
Paquet / caisse TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
AOWF12T60P Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange AOWF12T60P-FT

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