maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / AOV15S60
Référence fabricant | AOV15S60 |
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Numéro de pièce future | FT-AOV15S60 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | aMOS™ |
AOV15S60 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 520mA (Ta), 12A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360 mOhm @ 7.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 15.6nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 717pF @ 100V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 8.3W (Ta), 208W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 4-DFN-EP (8x8) |
Paquet / caisse | 4-PowerTSFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AOV15S60 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AOV15S60-FT |
DMP32D9UFZ-7B
Diodes Incorporated
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