maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / C3M0120100J
Référence fabricant | C3M0120100J |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-C3M0120100J |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | C3M™ |
C3M0120100J Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 1000V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 22A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 155 mOhm @ 15A, 15V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 3mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 21.5nC @ 15V |
Vgs (Max) | +15V, -4V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 600V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 83W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | D2PAK-7 |
Paquet / caisse | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
C3M0120100J Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | C3M0120100J-FT |
DMT2004UFDF-7
Diodes Incorporated
DMN2028UFDF-7
Diodes Incorporated
DMT5015LFDF-7
Diodes Incorporated
DMN3021LFDF-7
Diodes Incorporated
DMT3008LFDF-7
Diodes Incorporated
DMP1009UFDF-7
Diodes Incorporated
DMP2035UFDF-7
Diodes Incorporated
DMN1008UFDF-7
Diodes Incorporated
DMT5015LFDF-13
Diodes Incorporated
DMT6016LFDF-7
Diodes Incorporated
XC2V250-5FG256I
Xilinx Inc.
M2GL050-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG484T
Microsemi Corporation
APA1000-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA5K3F35C2L
Intel
XC5VLX50-2FFG1153C
Xilinx Inc.
XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1SFVA784I
Xilinx Inc.
5SGXMA3H1F35C2LN
Intel