maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / AOV11S60
Référence fabricant | AOV11S60 |
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Numéro de pièce future | FT-AOV11S60 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | aMOS™ |
AOV11S60 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 650mA (Ta), 8A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500 mOhm @ 3.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.1V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 545pF @ 100V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 8.3W (Ta), 156W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 4-DFN-EP (8x8) |
Paquet / caisse | 4-PowerTSFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AOV11S60 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AOV11S60-FT |
DMN31D5UFZ-7B
Diodes Incorporated
DMP32D9UFZ-7B
Diodes Incorporated
C3M0065090J
Cree/Wolfspeed
C3M0120090J
Cree/Wolfspeed
C3M0065100J
Cree/Wolfspeed
C3M0280090J-TR
Cree/Wolfspeed
C3M0280090J
Cree/Wolfspeed
C3M0120100J
Cree/Wolfspeed
C3M0120090J-TR
Cree/Wolfspeed
C3M0065090J-TR
Cree/Wolfspeed
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
M2GL010-FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256M
Microsemi Corporation
A3PN250-2VQ100
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40I3L
Intel
5SGXMA9N2F45C2LN
Intel
XC7VX690T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC4VLX160-10FF1148C
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
XC2V1500-5FF896I
Xilinx Inc.