maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / AONS21357
Référence fabricant | AONS21357 |
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Numéro de pièce future | FT-AONS21357 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AONS21357 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 21A (Ta), 36A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.8 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2830pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 5W (Ta), 48W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 8-DFN-EP (5x6) |
Paquet / caisse | 8-PowerVDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AONS21357 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AONS21357-FT |
AOW2918
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
AOW298
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AOW29S50
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AOW418
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AOW480
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AOW4S60
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AOW7S60
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AOWF10N60
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