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Alpha & Omega Semiconductor Inc. AONR21357

Name: AONR21357
Brand: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
SKU: AONR21357
Price: 0.20128 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (144 reviews)

Numéro de pièce MFG: AONR21357

quantité disponible: 17420 Pièces

Prix de référence: USD 0.20128

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Brève description: - MOSFET P-CH 30V 3X3 8DFN EP

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: AONR21357.pdf

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AONR21357 Caractéristiques

Référence fabricant	AONR21357
Numéro de pièce future	FT-AONR21357
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
AONR21357 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	21A (Ta), 34A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	70nC @ 10V
Vgs (Max)	±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2830pF @ 15V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	5W (Ta), 30W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	8-DFN-EP (3x3)
Paquet / caisse	8-PowerVDFN
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
AONR21357 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	AONR21357-FT

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