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Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF29S50L

Name: AOTF29S50L
Brand: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
SKU: AOTF29S50L
Price: 1.80444 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (419 reviews)

Numéro de pièce MFG: AOTF29S50L

quantité disponible: 29380 Pièces

Prix de référence: USD 1.80444

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Brève description: aMOS™ MOSFET N-CH 500V 29A TO220F

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: AOTF29S50L.pdf

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AOTF29S50L Caractéristiques

Référence fabricant	AOTF29S50L
Numéro de pièce future	FT-AOTF29S50L
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	aMOS™
AOTF29S50L Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	500V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	29A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	150 mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.9V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	26.6nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1312pF @ 100V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	37.9W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-220-3F
Paquet / caisse	TO-220-3 Full Pack
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
AOTF29S50L Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	AOTF29S50L-FT

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