maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / AON6918
Référence fabricant | AON6918 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-AON6918 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AON6918 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 25V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 15A, 26.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.2 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1560pF @ 15V |
Puissance - Max | 2W, 2.2W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-WDFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | 8-DFN-EP (5x6) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AON6918 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AON6918-FT |
DMN65D8LDW-7
Diodes Incorporated
DMN3190LDW-7
Diodes Incorporated
2N7002DWQ-7-F
Diodes Incorporated
DMN62D0UT-7
Diodes Incorporated
DMN67D8LDW-13
Diodes Incorporated
DMP2004DWK-7
Diodes Incorporated
DMN601DWK-7
Diodes Incorporated
DMN61D9UDW-7
Diodes Incorporated
DMN62D0UDW-7
Diodes Incorporated
DMN601DWKQ-7
Diodes Incorporated
XC2V1000-5FG256C
Xilinx Inc.
XC2S150-6PQG208C
Xilinx Inc.
XC3S1400A-4FGG484I
Xilinx Inc.
AGLN030V5-ZCSG81
Microsemi Corporation
A54SX16A-FGG256I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F45C3
Intel
XC7K355T-2FF901I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-7FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-640ZE-2MG132C
Lattice Semiconductor Corporation