maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / AON4807_101
Référence fabricant | AON4807_101 |
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Numéro de pièce future | FT-AON4807_101 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AON4807_101 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 4A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 68 mOhm @ 4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 290pF @ 15V |
Puissance - Max | 1.9W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SMD, Flat Lead |
Package d'appareils du fournisseur | 8-DFN (3x2) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AON4807_101 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AON4807_101-FT |
DMN3022LDG-7
Diodes Incorporated
DMN3022LFG-7
Diodes Incorporated
DMN3270UVT-7
Diodes Incorporated
DMT3022UEV-13
Diodes Incorporated
FDWS9420-F085
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ZXMN2AMCTA
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DMC2053UVT-7
Diodes Incorporated
DMC3016LDV-13
Diodes Incorporated
DMC3016LNS-13
Diodes Incorporated
LFEC1E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7K70T-2FBG676C
Xilinx Inc.
A3PE600-1PQ208I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K05AL-1AQC
Microchip Technology
5SGSMD5H3F35I4
Intel
XC6SLX16-N3CSG324C
Xilinx Inc.
A3P1000-1FGG144
Microsemi Corporation
5CGTFD7C5U19C7N
Intel
EP2AGX260EF29C5
Intel