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Référence fabricant | DMT3022UEV-13 |
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Numéro de pièce future | FT-DMT3022UEV-13 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DMT3022UEV-13 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 17A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 11A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.8V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 13.9nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 903pF @ 15V |
Puissance - Max | 900mW (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-PowerVDFN |
Package d'appareils du fournisseur | PowerDI3333-8 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMT3022UEV-13 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DMT3022UEV-13-FT |
APTM20AM05FG
Microsemi Corporation
APTM20AM06SG
Microsemi Corporation
APTM20AM08FTG
Microsemi Corporation
APTM20AM10FTG
Microsemi Corporation
APTM20AM10STG
Microsemi Corporation
APTM20DUM05G
Microsemi Corporation
APTM20DUM08TG
Microsemi Corporation
APTM20HM08FG
Microsemi Corporation
APTM20HM10FG
Microsemi Corporation
APTM20HM16FTG
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32-TQG144I
Microsemi Corporation
XC6SLX100-3FGG676I
Xilinx Inc.
XC6SLX100T-2FGG676C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-3FGG484C
Xilinx Inc.
AFS600-1FGG484K
Microsemi Corporation
A3P125-VQG100T
Microsemi Corporation
A42MX16-3VQG100I
Microsemi Corporation
EP3C5U256I7
Intel
LFE2-20SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation