maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / AON3814L
Référence fabricant | AON3814L |
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Numéro de pièce future | FT-AON3814L |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AON3814L Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 6A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17 mOhm @ 6A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 10V |
Puissance - Max | 2.5W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SMD, Flat Lead |
Package d'appareils du fournisseur | 8-DFN (3x3) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AON3814L Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AON3814L-FT |
DMN3022LDG-13
Diodes Incorporated
DMN3022LDG-7
Diodes Incorporated
DMN3022LFG-7
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FDWS9420-F085
ON Semiconductor
ZXMN2AMCTA
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DMC3016LDV-13
Diodes Incorporated
XC6SLX150-3FG900C
Xilinx Inc.
APA450-FG484A
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A54SX16-1VQG100
Microsemi Corporation
EP2S30F672C5N
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EP20K200EFC672-2X
Intel
10M16DAF256I6G
Intel
5SGXEA7N3F45I3LN
Intel
XC4003E-4PC84I
Xilinx Inc.
AGL400V5-FG144I
Microsemi Corporation
A40MX04-3PQG100
Microsemi Corporation