maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / AON3611
Référence fabricant | AON3611 |
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Numéro de pièce future | FT-AON3611 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AON3611 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N and P-Channel, Common Drain |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 5A, 6A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 170pF @ 15V |
Puissance - Max | 2.1W, 2.5W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SMD, Flat Lead |
Package d'appareils du fournisseur | 8-DFN (2.9x2.3) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AON3611 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AON3611-FT |
DMN32D4SDW-7
Diodes Incorporated
DMN5L06DWK-7
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XC3S1400A-5FG676C
Xilinx Inc.
APA1000-FG896A
Microsemi Corporation
A3PE3000-1FGG484I
Microsemi Corporation
5SGXEA5N3F45I3LN
Intel
XC4010XL-3PC84I
Xilinx Inc.
LFE2M70E-6F900I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA5G4F31I5N
Intel
EP4SGX110DF29I3
Intel
EP3CLS200F780C7N
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EP20K400CB652I8ES
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