maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / AON2880
Référence fabricant | AON2880 |
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Numéro de pièce future | FT-AON2880 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AON2880 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 7A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21.5 mOhm @ 5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 9nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 600pF @ 10V |
Puissance - Max | 2W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-WFDFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | 8-DFN-EP (2x2) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AON2880 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AON2880-FT |
DMN3013LFG-13
Diodes Incorporated
DMN3022LDG-13
Diodes Incorporated
DMN3022LDG-7
Diodes Incorporated
DMN3022LFG-7
Diodes Incorporated
DMN3270UVT-7
Diodes Incorporated
DMT3022UEV-13
Diodes Incorporated
FDWS9420-F085
ON Semiconductor
ZXMN2AMCTA
Diodes Incorporated
DMG1026UVQ-7
Diodes Incorporated
DMC2053UVT-7
Diodes Incorporated
EPF10K50ETC144-3
Intel
XC2S15-5VQG100C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FG456C
Xilinx Inc.
APA075-FG144I
Microsemi Corporation
LFE5U-45F-8BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EFC484-2
Intel
EP20K200FI484-2V
Intel
EP4SGX230KF40I3N
Intel
XA7A100T-2CSG324I
Xilinx Inc.
LCMXO1200C-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation