maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / AON2802
Référence fabricant | AON2802 |
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Numéro de pièce future | FT-AON2802 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AON2802 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 2A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 245pF @ 15V |
Puissance - Max | 2.1W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-WDFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | 6-DFN-EP (2x2) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AON2802 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AON2802-FT |
DMN67D8LDW-13
Diodes Incorporated
DMP2004DWK-7
Diodes Incorporated
DMN601DWK-7
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DMN61D9UDW-7
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DMN62D0UDW-7
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DMN601DWKQ-7
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DMN3190LDW-13
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DMN32D4SDW-13
Diodes Incorporated
LCMXO640C-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
M1AFS1500-2FG484
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APA1000-PQG208A
Microsemi Corporation
5SGXEA5N1F40C2L
Intel
EP4S100G3F45I2
Intel
LFEC33E-4F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-2FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000ZE-2MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N3F40I2SG
Intel