maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / AO6601
Référence fabricant | AO6601 |
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Numéro de pièce future | FT-AO6601 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AO6601 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N and P-Channel Complementary |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 3.4A, 2.3A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 3.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 285pF @ 15V |
Puissance - Max | 1.15W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-74, SOT-457 |
Package d'appareils du fournisseur | 6-TSOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AO6601 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AO6601-FT |
AOP609
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AOP610
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