maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / AOP610
Référence fabricant | AOP610 |
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Numéro de pièce future | FT-AOP610 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AOP610 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N and P-Channel |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24 mOhm @ 7.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 630pF @ 15V |
Puissance - Max | 2.3W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-PDIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AOP610 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AOP610-FT |
2N7002DWA-7
Diodes Incorporated
BSS138DW-7
Diodes Incorporated
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CMLDM7484 TR
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CMLDM8005 TR
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CMLDM3757 TR
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XC6VLX130T-L1FFG484C
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P1AFS1500-2FG484
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XC7K160T-1FB484I
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XC2VP4-5FFG672I
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XC5VLX85-1FF676I
Xilinx Inc.
5AGXFB3H4F35I3N
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