maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Simples / AIGW50N65F5XKSA1
Référence fabricant | AIGW50N65F5XKSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-AIGW50N65F5XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, Trenchstop™ 5 |
AIGW50N65F5XKSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | Trench |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 650V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | - |
Courant - collecteur pulsé (Icm) | 150A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 50A |
Puissance - Max | 270W |
Énergie de commutation | 490µJ (on), 140µJ (off) |
Type d'entrée | Standard |
Charge de la porte | 1018nC |
Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 21ns/156ns |
Condition de test | 400V, 25A, 12 Ohm, 15V |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO247-3-41 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AIGW50N65F5XKSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AIGW50N65F5XKSA1-FT |
IRG8P50N120KD-EPBF
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XC3S100E-5TQG144C
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EP1K100FC484-3N
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XC7V585T-3FFG1761E
Xilinx Inc.
A42MX09-PQ100A
Microsemi Corporation
EPF6016AQC208-3N
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