Référence fabricant | 8TQ080 |
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Numéro de pièce future | FT-8TQ080 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
8TQ080 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 80V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 720mV @ 8A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 550µA @ 80V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-2 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AC |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
8TQ080 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 8TQ080-FT |
VS-ETU1506-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETX3007-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETX3007T-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA15TB60-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETX0806-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-15ETL06-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
NS8KT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30ETH06-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8ETU04-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA04TB60-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX16P-2TQG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
EP2AGX65DF25C5
Intel
5SGXMABN3F45I3N
Intel
5SGXMA5H2F35I3N
Intel
XCV50-5BG256I
Xilinx Inc.
A42MX09-TQG176I
Microsemi Corporation
LFEC20E-3FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7
Intel