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Référence fabricant | 70V659S10BC8 |
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Numéro de pièce future | FT-70V659S10BC8 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
70V659S10BC8 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
Taille mémoire | 4.5Mb (128K x 36) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 10ns |
Temps d'accès | 10ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 3.15V ~ 3.45V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 256-LBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 256-CABGA (17x17) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
70V659S10BC8 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 70V659S10BC8-FT |
70T633S10BC8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T633S10BCI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T633S12BC
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T633S12BC8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T633S12BCI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T651S10BC8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T651S12BC
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T651S12BC8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T651S12BCI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T651S12BCI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
XC3SD1800A-4CS484LI
Xilinx Inc.
XC2V500-5FG256I
Xilinx Inc.
A14V40A-VQG100C
Microsemi Corporation
5SGXMABN3F45C2LN
Intel
A3PE1500-FGG676I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F35I3SG
Intel
EP20K200EQC240-1X
Intel