maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / 70T633S10BC8
Référence fabricant | 70T633S10BC8 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-70T633S10BC8 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
70T633S10BC8 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
Taille mémoire | 9Mb (512K x 18) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 10ns |
Temps d'accès | 10ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.4V ~ 2.6V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 256-LBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 256-CABGA (17x17) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
70T633S10BC8 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 70T633S10BC8-FT |
IDT7164S35YG
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT7164S35YG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT7164S35YGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT7164S35YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V256SA10Y
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V256SA10Y8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V256SA10YG
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V256SA10YG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V256SA10YGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V256SA10YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
M2GL010T-FG484
Microsemi Corporation
EP1SGX25DF672C5N
Intel
EPF10K50SFC256-1X
Intel
EP1M350F780I6
Intel
XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX220T-1FF1738C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-45F-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EBC356-2
Intel