maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / 70125S35J8
Référence fabricant | 70125S35J8 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-70125S35J8 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
70125S35J8 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
Taille mémoire | 18Kb (2K x 9) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 35ns |
Temps d'accès | 35ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 4.5V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 52-LCC (J-Lead) |
Package d'appareils du fournisseur | 52-PLCC (19.13x19.13) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
70125S35J8 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 70125S35J8-FT |
M58LW032D110ZA6
STMicroelectronics
M58LW032D90ZA6
STMicroelectronics
M58LW064D110ZA6
STMicroelectronics
MT29F1G08ABAEAH4:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABBFAH4-ITE:F
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABBGAH4-IT:G
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABAFAH4-ITE:F TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABBEAH4-AITX:E TR
Micron Technology Inc.
XA2S200E-6FT256Q
Xilinx Inc.
APA450-FG484
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-6900C-5BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40C2L
Intel
10CL025YE144I7G
Intel
XC7VX690T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5AGXBB5D4F35C5N
Intel
EP3SL150F780C2N
Intel
EPF10K200SBC356-3
Intel