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Référence fabricant | MT29F2G08ABBGAH4-IT:G |
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Numéro de pièce future | FT-MT29F2G08ABBGAH4-IT:G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT29F2G08ABBGAH4-IT:G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 2Gb (256M x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 63-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 63-VFBGA (9x11) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F2G08ABBGAH4-IT:G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT29F2G08ABBGAH4-IT:G-FT |
M34C02-WMN6T
STMicroelectronics
M34D64-WMN6P
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M34D64-WMN6T
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M34D64-WMN6TP
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M93C46-MN6
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M93C46-MN6P
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M93C46-MN6T
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M93C46-MN6TP
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M93C46-WMN6
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M93C46-WMN6T
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XCS20-3TQ144I
Xilinx Inc.
XC3SD3400A-4CS484C
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5SGSMD4K3F40I3L
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XC4VLX60-10FFG668C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-7F672C
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Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
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EPF10K50VRI240-3
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