maison / des produits / Isolateurs / Optoisolants - Transistor, sortie photovoltaïque / 6N139-000E
Référence fabricant | 6N139-000E |
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Numéro de pièce future | FT-6N139-000E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
6N139-000E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Nombre de canaux | 1 |
Tension - Isolement | 3750Vrms |
Ratio de transfert actuel (min) | 500% @ 1.6mA |
Ratio de transfert actuel (max) | 2600% @ 1.6mA |
Activer / Désactiver le temps (Typ) | 200ns, 2µs |
Temps de montée / descente (type) | - |
Type d'entrée | DC |
Le type de sortie | Darlington with Base |
Tension - Sortie (Max) | 18V |
Courant - Sortie / Canal | 60mA |
Tension - Forward (Vf) (Typ) | 1.4V |
Courant - DC Forward (Si) (Max) | 20mA |
Vce Saturation (Max) | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-DIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
6N139-000E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 6N139-000E-FT |
EL211(TA)
Everlight Electronics Co Ltd
EL211(TA)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL211(TB)
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EL211(TB)-V
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EL211-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL212
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EL212(TA)
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EL212(TA)-V
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EL212(TB)
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EL212(TB)-V
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XC4006E-2PQ208I
Xilinx Inc.
XA6SLX100-2FGG484I
Xilinx Inc.
APA075-PQ208
Microsemi Corporation
ICE40HX8K-BG121
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PLG68C
Microsemi Corporation
EP3CLS100U484C7
Intel
XC7VX415T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
LFE2M35E-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX40DF1020C7
Intel
MPM7128QC100AA
Intel