maison / des produits / Isolateurs / Optoisolants - Transistor, sortie photovoltaïque / EL212(TB)-V
Référence fabricant | EL212(TB)-V |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-EL212(TB)-V |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
EL212(TB)-V Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Nombre de canaux | 1 |
Tension - Isolement | 3750Vrms |
Ratio de transfert actuel (min) | 50% @ 10mA |
Ratio de transfert actuel (max) | - |
Activer / Désactiver le temps (Typ) | 3µs, 3µs |
Temps de montée / descente (type) | 1.6µs, 2.2µs |
Type d'entrée | DC |
Le type de sortie | Transistor with Base |
Tension - Sortie (Max) | 80V |
Courant - Sortie / Canal | - |
Tension - Forward (Vf) (Typ) | 1.3V |
Courant - DC Forward (Si) (Max) | 60mA |
Vce Saturation (Max) | 400mV |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 110°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EL212(TB)-V Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | EL212(TB)-V-FT |
K844P
Vishay Semiconductor Opto Division
4N55/883B
Broadcom Limited
4N55/883B#100
Broadcom Limited
4N55/883B#200
Broadcom Limited
4N55TXV
Broadcom Limited
4N55TXVB
Broadcom Limited
5962-0822703HEA
Broadcom Limited
5962-0822703HEC
Broadcom Limited
5962-8767901EA
Broadcom Limited
5962-8767901EC
Broadcom Limited
XC2VP2-7FG456C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-1FG484
Microsemi Corporation
A54SX16A-2FGG256I
Microsemi Corporation
U1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
A42MX36-PQ208A
Microsemi Corporation
A42MX16-1VQ100M
Microsemi Corporation
XC7VX1140T-L2FLG1930E
Xilinx Inc.
XC7VX690T-2FFG1930I
Xilinx Inc.
LFXP3E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-5FTN324C
Lattice Semiconductor Corporation