maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / 6A100GHB0G
Référence fabricant | 6A100GHB0G |
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Numéro de pièce future | FT-6A100GHB0G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
6A100GHB0G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1000V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 6A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 6A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 1000V |
Capacité @ Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | R6, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | R-6 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
6A100GHB0G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 6A100GHB0G-FT |
1N3276
Powerex Inc.
1N3276R
Powerex Inc.
1N3612
Semtech Corporation
1N3614
Semtech Corporation
1N3644
Semtech Corporation
1N3645
Semtech Corporation
1N3646
Semtech Corporation
1N3735
Powerex Inc.
1N3735R
Powerex Inc.
1N3736
Powerex Inc.
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200-4FG456C
Xilinx Inc.
APA450-PQG208
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
Intel
5SGXEA9K2H40C2LN
Intel
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
A40MX04-1PLG44
Microsemi Corporation
5CEFA2U19C7N
Intel
EP1S60F1020C6N
Intel