maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / 1N3276R
Référence fabricant | 1N3276R |
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Numéro de pièce future | FT-1N3276R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N3276R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard, Reverse Polarity |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 160A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 12mA @ 1600V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Chassis, Stud Mount |
Paquet / caisse | DO-205AB, DO-9, Stud |
Package d'appareils du fournisseur | DO-205AB, DO-9 |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N3276R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N3276R-FT |
MBR2060FCTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR2080CTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR2080FCTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR2090CTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR2090FCTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR30100FCTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR30150CTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR30150FCTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR40150PTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR40200PTE3/TU
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-3TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-4FG320C
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XC2VP7-6FGG456C
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A1010B-2PL68I
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5SGXMA3K2F40I3N
Intel
5SEEBF45I3N
Intel
5SGXEA5K3F35I3N
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XC4013XL-1BG256I
Xilinx Inc.
XC4VFX60-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation