maison / des produits / Résistances / Résistances traversantes / 53JR50E
Référence fabricant | 53JR50E |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-53JR50E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | 50 |
53JR50E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
La résistance | 500 mOhms |
Tolérance | ±5% |
Puissance (Watts) | 3W |
Composition | Wirewound |
Caractéristiques | - |
Coéfficent de température | ±90ppm/°C |
Température de fonctionnement | - |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | Axial |
Taille / Dimension | 0.220" Dia x 0.551" L (5.60mm x 14.00mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Nombre de terminaisons | 2 |
Taux d'échec | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
53JR50E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 53JR50E-FT |
WHBR75FET
Ohmite
WNBR75FET
Ohmite
WNBR50FET
Ohmite
WHBR50FET
Ohmite
WNBR25FET
Ohmite
WHBR25FET
Ohmite
WNBR10FET
Ohmite
WHBR10FET
Ohmite
WHB75RFET
Ohmite
WNB75RFET
Ohmite
AT6005A-4AI
Microchip Technology
XCV200-4FG256I
Xilinx Inc.
XC2V500-5FGG456C
Xilinx Inc.
M2GL025TS-1FCSG325
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG484I
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C6
Intel
10AX032H2F34E2SG
Intel
5SGXMB9R2H43I3N
Intel
LFE2-12E-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230FF35I4N
Intel