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Référence fabricant | WNBR10FET |
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Numéro de pièce future | FT-WNBR10FET |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | WN |
WNBR10FET Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
La résistance | 100 mOhms |
Tolérance | ±1% |
Puissance (Watts) | 1W |
Composition | Wirewound |
Caractéristiques | Non-Inductive |
Coéfficent de température | ±90ppm/°C |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | Axial |
Taille / Dimension | 0.130" Dia x 0.276" L (3.30mm x 7.00mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Nombre de terminaisons | 2 |
Taux d'échec | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
WNBR10FET Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | WNBR10FET-FT |
MT5-0R1F1
Riedon
MT4-0R01F1
Riedon
MT4-0R03F1
Riedon
MT4-0R05F1
Riedon
MT4-0R07F1
Riedon
MT4-0R1F1
Riedon
MT3-0R01F1
Riedon
MT3-0R03F1
Riedon
MT3-0R05F1
Riedon
MT3-0R07F1
Riedon
XC2S100-5TQG144C
Xilinx Inc.
XC6SLX75-L1CSG484C
Xilinx Inc.
XC3S1000-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC6SLX75-L1FG676I
Xilinx Inc.
XC2S150-6FGG456C
Xilinx Inc.
XC6SLX75-3FGG484C
Xilinx Inc.
M2GL010S-1FG484I
Microsemi Corporation
M2GL010T-1FGG484I
Microsemi Corporation
XC2V3000-5BG728I
Xilinx Inc.
EP2AGX95EF35C6N
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