maison / des produits / Résistances / Résistances traversantes / 53JR10E
Référence fabricant | 53JR10E |
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Numéro de pièce future | FT-53JR10E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | 50 |
53JR10E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
La résistance | 100 mOhms |
Tolérance | ±5% |
Puissance (Watts) | 3W |
Composition | Wirewound |
Caractéristiques | - |
Coéfficent de température | ±90ppm/°C |
Température de fonctionnement | - |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | Axial |
Taille / Dimension | 0.220" Dia x 0.551" L (5.60mm x 14.00mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Nombre de terminaisons | 2 |
Taux d'échec | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
53JR10E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 53JR10E-FT |
WNBR50FET
Ohmite
WHBR50FET
Ohmite
WNBR25FET
Ohmite
WHBR25FET
Ohmite
WNBR10FET
Ohmite
WHBR10FET
Ohmite
WHB75RFET
Ohmite
WNB75RFET
Ohmite
WHB750FET
Ohmite
WHB5R0FET
Ohmite
XC3S250E-4FTG256I
Xilinx Inc.
LAXP2-17E-5FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-1FG256I
Microsemi Corporation
EPF10K130EBC600-1
Intel
5SGXMA5K2F35C2N
Intel
XC5VLX110T-1FF1136C
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG144M
Microsemi Corporation
LFE2M20E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F45I2LG
Intel
5SGSMD4H2F35C2LN
Intel