maison / des produits / Résistances / Résistances traversantes / 53JR10E
Référence fabricant | 53JR10E |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-53JR10E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | 50 |
53JR10E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
La résistance | 100 mOhms |
Tolérance | ±5% |
Puissance (Watts) | 3W |
Composition | Wirewound |
Caractéristiques | - |
Coéfficent de température | ±90ppm/°C |
Température de fonctionnement | - |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | Axial |
Taille / Dimension | 0.220" Dia x 0.551" L (5.60mm x 14.00mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Nombre de terminaisons | 2 |
Taux d'échec | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
53JR10E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 53JR10E-FT |
WNBR50FET
Ohmite
WHBR50FET
Ohmite
WNBR25FET
Ohmite
WHBR25FET
Ohmite
WNBR10FET
Ohmite
WHBR10FET
Ohmite
WHB75RFET
Ohmite
WNB75RFET
Ohmite
WHB750FET
Ohmite
WHB5R0FET
Ohmite
XC6SLX150T-2FG900C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FG484I
Microsemi Corporation
APA450-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P030-1VQG100I
Microsemi Corporation
XC6VLX130T-2FF784I
Xilinx Inc.
A42MX09-1PL84
Microsemi Corporation
M1A3P400-2FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090R1F40E1SG
Intel
EP1AGX20CF780I6
Intel